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2025-07-05 09:48:16
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因此，电网这类材料的导带底在掺杂之前有被认为从价带分离出去的空穴极化子态，电网而电子引入后会复合这些空穴极化子回到价带，而并不形成带隙间的缺陷能级开展反掺杂效应提供了一种非常规的调控电导率的方法。
【小结】在某些情况下，伏变符合掺杂自由载流子的存在会改变固体晶格结构及对称性，或者产生自陷晶格极化子，或者形成局部电荷补偿中心。图3镍氧化物SmNiO3中的反掺杂现象(a)(b)(c)SmNiO3的态密度，压器其中(a)未掺杂(b)0.5e/Ni掺杂(c)1e/Ni掺杂，箭头表示中间带的一部分在电子掺杂时被价带吞并。另外，技术在锂电池阳极材料LiFeSiO4，LiIrO3以及过渡金属氧化物SmNiO3，SrCoO2.5等材料中存在掺杂范围广，带隙变化大的反掺杂效应。
以电子掺杂某些氧化物为例，性评研究发现，具有反掺杂效应的材料在不考虑杂化效应的高对称结构下具有半填充能带，应为金属。在这里，国家估作者指出，就像锂离子化合物，或具有金属空位的MgO一样，电子反掺杂是一种相当普遍的效应，与关联效应无显著关系。
电网【图文简介】图1电子反掺杂和空穴反掺杂示意图(a)电子反掺杂和(b)空穴反掺杂示意图。
开展该成果近日以AntidopinginInsulatorsandSemiconductorsHavingIntermediateBandswithTrappedCarriers为题发表在期刊PhysicalReviewLetter上。WTe2中的非线性磁阻具有较大的各向异性，伏变符合这是由于其费米面的低对称性所造成的。
为了进一步探索WTe2中自旋极化带的分支，压器以及它们与结构丰富的费米表面的相互作用，作者详细研究了自旋相关的非线性磁转运。这些结果还表明，技术费米能级的微调对于控制半金属中的非线性磁输运是至关重要的。
此外，性评作者确定NLMR的反转源于费米轮廓从凸面到凹面的转变，而巨大的各向异性是由于费米面的低对称性。虽然对费米表面的理解对于探索和解释许多物理现象（例如振荡交换耦合或超导性）是至关重要的，国家估但目前对他的研究还是很有限的。